pn結(jié)的形成是漂移,擴散,
在一塊完整的硅片上,用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體,另一邊形成P型半導體,此時兩邊電荷分布相當不均勻,擴散運動使P區(qū)空穴往N區(qū)運動,N區(qū)電子往P區(qū)運動,在P區(qū)和N區(qū)的交界處附近被相互中和掉,使P區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動的負離子,N區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動的正離子。這樣在兩種半導體交界處逐漸形成由正、負離子組成的空間電荷區(qū)(耗盡層)。由于P區(qū)一側(cè)帶負電,N區(qū)一側(cè)帶正電,所以出現(xiàn)了方向由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場。