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2024-07-11 13:35:11

MOS管在承受過大電流時(shí)，由于電流過載，導(dǎo)致芯片內(nèi)部的溫度急劇升高，使得芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)和聯(lián)系因熱應(yīng)力而出現(xiàn)微小的損壞，這些微小的損壞會使得MOS管的電壓突然反轉(zhuǎn)，出現(xiàn)尖峰電壓。

另外，在MOS管關(guān)斷時(shí)，由于管子內(nèi)部的電荷和電感的存在，電流并不會立即停止流動，而是會產(chǎn)生過渡過程，這個(gè)過渡過程就是電流快速變化，從而導(dǎo)致尖峰電壓的問題。

尖峰電壓一般會對MOS管產(chǎn)生較大的沖擊，對于一些靈敏的電子元件會產(chǎn)生瞬間的損壞，因此，在使用MOS管的過程中，需要注意控制電壓和電流，以避免MOS管因?yàn)殡娏鬟^載而導(dǎo)致尖峰電壓的問題。同時(shí)也要注意在設(shè)計(jì)電路時(shí)，為MOS管添加合適的保護(hù)電路，以減小尖峰電壓對電路的損害。

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2024-07-11 13:35:11

當(dāng)MOS管過大電流時(shí)，會導(dǎo)致電流飽和區(qū)域內(nèi)的電壓降增加，這是由于電流過大時(shí)，MOS管內(nèi)的通道電阻會增加，導(dǎo)致電壓降增加。當(dāng)電流達(dá)到一定程度時(shí)，當(dāng)導(dǎo)通的MOS管關(guān)斷時(shí)，會產(chǎn)生一個(gè)尖峰電壓，這是由于通道電流瞬間中斷，導(dǎo)致快速變化的電壓。這種尖峰電壓可以產(chǎn)生很高的峰值，可能會損壞MOS管或其他電路元件。為了避免這種情況發(fā)生，可以采取一些保護(hù)措施，如使用瞬變電壓抑制器（TVS）器件來限制電壓峰值，或者使用電流限制器來限制過大的電流。

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2024-07-11 13:35:11

尖峰電壓不是mos管本身產(chǎn)生的，是電感產(chǎn)生的，關(guān)斷時(shí)電感上的電流不能突變，就會產(chǎn)生反峰電壓，一般是用并聯(lián)電阻和電容組成消除反峰電路。

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